目前在絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管中，應(yīng)用最為廣泛的是MOS場(chǎng)效應(yīng)管，簡稱MOS管（即金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET）；此外還有PMOS、NMOS和VMOS功率場(chǎng)效應(yīng)管等。
標(biāo)簽：
MOS
場(chǎng)效應(yīng)管
入網(wǎng)時(shí)間：2022-05-27
開關(guān)電源由高頻磁芯、高頻電容、高反壓大功率晶體管、功率整流二極管及控制電路等主要部件構(gòu)成。其中，整流二極管為關(guān)鍵部件，因?yàn)槠涔淖畲螅s占電源功耗的30%。
標(biāo)簽：
快恢復(fù)二極管
肖特基二極管
入網(wǎng)時(shí)間：2022-05-20
為了獲得最大的輸出功率,在正常工作中,逆變器的工作頻率應(yīng)近于并聯(lián)諧振電路的固有振蕩頻率。
氮化鋁陶瓷基板的設(shè)計(jì)是IGBT模塊結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)中的一環(huán)，陶瓷基板設(shè)計(jì)的優(yōu)劣將會(huì)影響到模塊的電氣特性，所以想要很好的完成IGBT的設(shè)計(jì)，就需要遵循氮化鋁陶瓷基板的一些原則。
電子元件的插入應(yīng)整齊、美觀、穩(wěn)定。同時(shí)應(yīng)便于焊接，并有利于構(gòu)件焊接時(shí)的散熱。本文將總結(jié)組件插入的相關(guān)知識(shí)。如果您對(duì)本文的內(nèi)容感興趣
通常，額定電流超過1安培的半導(dǎo)體器件稱為功率半導(dǎo)體。它們阻斷電壓范圍從幾伏一直到上萬伏。在眾多的功率半導(dǎo)體器件中，功率二極管是相對(duì)簡單的一種器件，但它同時(shí)也是在電力電于電路中應(yīng)用最為廣泛的一種常用基礎(chǔ)器件。